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Czochralsky Verfahren ist ein spezielles Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristallen, bei dem ein Kristall aus der Silizium-Schmelze gezogen wird. Unter Zieh- und Drehbewegungen scheidet sich an einem Kristallisationskeim ein zylindrischer Silizium-Einkristall ab. Für die Schmelze werden bereits hochreine polykristalline Siliziumstücke verwendet, denen, je nach gewünschter Dotierung des Einkristalls, hochdotiertes Silizium zugegeben wird. Aus dem Silizium-Einkristall werden die Wafer und Zellen für monokistaline Photovoltaik Module hergestellt.

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